— 新聞動(dòng)態(tài) —
精誠(chéng)一意，格致創(chuàng)新
半導(dǎo)體釉的制作與特性
發(fā)布時(shí)間：
2024-09-29 08:30
來(lái)源：
傳統(tǒng)瓷絕緣子防污閃的措施有定期停電清掃、增大絕緣子爬距、在絕緣子表面涂敷憎水涂料等，采用復(fù)合絕緣子又存在老化、腐蝕、高溫變形等問(wèn)題容易導(dǎo)致防污失效，以上措施均不能有效解決“污閃” 問(wèn)題。同時(shí)冬季絕緣子表面的覆冰對(duì)電力系統(tǒng)和鐵路運(yùn)輸行業(yè)正常供電也有重大隱患。
針對(duì)上述問(wèn)題，采用半導(dǎo)體釉制作的絕緣子因表面有一定電流通過(guò)，其熱效應(yīng)可以很好解決“污閃” 和覆冰問(wèn)題。因此采用半導(dǎo)體釉制作的絕緣子對(duì)推進(jìn)電瓷產(chǎn)業(yè)特色發(fā)展具備了重要的示范意義和社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。
一、半導(dǎo)體釉制作條件
1.原料
基礎(chǔ)釉用原料：長(zhǎng)石、石英、長(zhǎng)豐泥、淘洗宜春土、淘洗江門(mén)土、燒滑石、硅灰石、章村土。
導(dǎo)電粒子用原料：碳酸鋇、硅酸鋯、二氧化錳、三氧化二鐵、二氧化鉻、二氧化錫、三氧化二銻、二氧化鈦、二硅化鉬等。
2.設(shè)備
生產(chǎn)設(shè)備：包含但不限于球磨機(jī)、除鐵器、振動(dòng)篩、攪拌機(jī)、施釉機(jī)、補(bǔ)水機(jī)等。
檢測(cè)設(shè)備：比重杯、粘度計(jì)、激光粒度分析儀、百分厚度儀、計(jì)時(shí)器、稱量器等。
二、技術(shù)要求
1.基礎(chǔ)釉用原料要求
表1 基礎(chǔ)釉用原料要求
2.導(dǎo)電粒子用原料要求
導(dǎo)電粒子用原料工業(yè)純度應(yīng)不小于99.2%。
3.制釉
基本要求
球石與原料按配料要求比例裝入球磨機(jī)進(jìn)行研磨一定時(shí)間形成釉漿，出磨前檢測(cè)粒度，合格后過(guò)篩除鐵并進(jìn)行陳腐，試燒對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)樣后進(jìn)行批量制成。
配料
球石清理后宜按ф15/ф20/ф25/ф30mm規(guī)格及20:30:30:20體積比準(zhǔn)備，配料中的料球水比例宜按1:1.6:0.6~0.8并適時(shí)調(diào)整保持一定穩(wěn)態(tài)。
球磨
采用球磨機(jī)研磨，球磨時(shí)間宜結(jié)合粒度和細(xì)度要求進(jìn)行適時(shí)調(diào)整，激光粒度應(yīng)不大于10um，球磨細(xì)度先過(guò)60目篩，用325目篩余量宜在0.02~0.08%范圍內(nèi)。
鐵點(diǎn)檢查
研磨放漿前應(yīng)通過(guò)2道200目的篩網(wǎng)后進(jìn)行鐵點(diǎn)檢査。鐵點(diǎn)檢查采取抽樣方式，每池?cái)嚢杈鶆蚝蟪槿?kg漿料，過(guò) 200目篩后鐵點(diǎn)數(shù)每0.5mm范圍內(nèi)不大于5個(gè)。除鐵器應(yīng)具有合理的檢定周期，除鐵棒應(yīng)具有預(yù)定使用要求的磁性特性。
釉漿特性
釉漿水分控制比例：浸釉棕釉水分：(47±1) %，浸釉灰釉水分：(46±1) %，噴釉釉漿水分: (35±1) %。粘度不大于25s，高溫流動(dòng)度不小于45mm，陳腐時(shí)間不少于1d。試燒后應(yīng)光滑平整、無(wú)色差，與標(biāo)準(zhǔn)樣塊目測(cè)對(duì)比應(yīng)無(wú)明顯差異。
4.施釉
釉漿調(diào)制后通過(guò)浸、噴、淋等動(dòng)作手段進(jìn)行施釉形成釉坯。
坯體表面打磨干凈，根據(jù)需求方圖紙要求對(duì)所需部位進(jìn)行施釉作業(yè)。施釉前釉漿攪拌宜不小于0.5h，釉漿性能檢測(cè)應(yīng)符合表2要求。施釉過(guò)程中應(yīng)持續(xù)攪拌， 釉層厚度依據(jù)客戶訂貨技術(shù)條件確定。
表2 施釉工序控制參考項(xiàng)目
燒成
半導(dǎo)體釉燒成溫度宜保持在1220～1280℃范圍內(nèi)。
性能檢測(cè)
釉面外觀：釉面應(yīng)平整均勻，無(wú)釉滴、回頭釉、缺釉、粘硅和其它附著雜質(zhì)等釉面缺陷。
孔隙性試驗(yàn)：釉面進(jìn)行孔隙性試驗(yàn)后不應(yīng)有任何滲透現(xiàn)象。
泄漏電流：試驗(yàn)采用瓷件上法蘭端接高壓（額定運(yùn)行電壓），下法蘭接地進(jìn)行檢測(cè)，以客戶訂貨技術(shù)條件為準(zhǔn)，泄漏電流宜在1.0±0.5mA范圍內(nèi)。
表面電阻率：應(yīng)在10^6～10^10?范圍內(nèi)。
半導(dǎo)體釉
公眾號(hào)
本網(wǎng)站已支持IPV4 / IPV6 雙向訪問(wèn)
